5G tapper 350-5850MHz-tik
5G tapper 350-5850MHz-tik,
RF tapper-en fabrikatzailea,
Deskribapena
Power Tapper NF/M konektorea 350-5850MHz
Power Tapper JX-PT-350M5850M-N500 Directional Coupler Jingxin-ek saltzeko diseinatu eta ekoitzitako RF osagai pasibo mota bat da, bereziki -155dBc@2*43dBm baino txikiagoa den PIM baxua duena, 94mm x 23mm x 23mm baino ez duena.
Potentzia Tapper/Direkzio-akoplagailu honen maiztasunak 350-5850MHz arteko akoplamendu-erlazio ezberdinarekin (3,4.8,6,8,10,13,15,20,30) hartzen du. Power Tapper hau IP67 duten NF edo NM konektoreekin ekoizten da, baina eskariaren arabera beste batzuetara alda daiteke. Kolore Beltzezko margolanarekin, halako akoplagailu zuzenek denbora luzez jasan dezakete eremuan.
Agindu bezala, Jingxin-en RF osagai pasibo guztiek 3 urteko bermea dute.
Parametroa
| Parametroa | Zehaztapena | |||||||||
| Maiztasun barrutia | 350-520 / 698-960 / 1710-2700 / 3500-4500 / 4900-5850MHz | |||||||||
| Akoplamendua / Erlazioa | 2:1 3,0 dB | 3:1 4,8 dB | 4:1 6,0 dB | 6:1 8,0 dB | 10:1 10 dB | 20:1 13 dB | 30:1 15 dB | 100:1 20 dB | 1000:1 30 dB | |
| Irteera zatiketa (galera nagusia) | -1,8 dB | -1,3 dB | -1,0 dB | -0,7 dB | -0,4 dB | -0,2 dB | -0,1 dB | -0,1 dB | -0,1 dB | |
| Irteera zatiketa (adar-galera) | -4,8 dB | -6,1 dB | -7,0 dB | -8,6 dB | -10,4 dB | -13,2 dB | -15,1 dB | -20,1 dB | -30,1 dB | |
| Adarrak aldatzea (dB) | 350-520 | +0,3/-1,3 | +0,3/-1,3 | +0,3/-1,3 | +0,3/-1,3 | +0,3/-1,3 | +0,3/-1,3 | +0,3/-1,3 | +0,3/-1,3 | +0,3/-1,3 |
| 698-960 | ±0,5 | ±0,5 | ±0,5 | ±0,5 | ±0,5 | ±0,6 | ±0,7 | ±1,0 | ±1,0 | |
| 1710-2700 | ±0,5 | ±0,5 | ±0,5 | ±0,5 | ±0,5 | ±0,6 | ±0,7 | ±0,7 | ±0,7 | |
| 3500-4500 | 0/-1,5 | 0/-1,5 | 0/-1,5 | 0/-1,5 | 0/-1,5 | ±0,6 | 0/-1,5 | +2/0 | +2/-1 | |
| 4900-5850 | ±0,5 | ±0,5 | ±0,5 | ±0,5 | ±0,6 | ±0,6 | ±1,0 | +4/0 | +4/0 | |
| VSWR | 690-2700 | 1.3:1 | 1.2:1 | 1.2:1 | 1.2:1 | 1.2:1 | 1.2:1 | 1.2:1 | 1.2:1 | 1.2:1 |
| 350-5850 | 1.4:1 | 1.3:1 | 1.3:1 | 1.3:1 | 1.3:1 | 1.3:1 | 1.3:1 | 1.2:1 | 1.2:1 | |
| Potentzia Balorazioa | 500W | |||||||||
| Inpedantzia | 50Ω | |||||||||
| Intermodulazioa | -155dBc@2x43dBm * | |||||||||
| Tenperatura tartea | -35to75ºC | |||||||||
RF osagai pasibo pertsonalizatuak
3 urrats soilik RF osagai pasiboaren arazoa konpontzeko
1.Zuk parametroa definitzea.
2.Jingxin-ek baieztapen proposamena eskaintzea.
3.Jingxinen probarako prototipoa ekoiztea.
